Díodo de barreira Schottky de 60 V de baixa VF Mbr30r60 cts a 220c

N ° de Modelo.
MBR30R60CTS
Número de lote
2023
Marca
Wxdh
Pacote de Transporte
Tube
Marca Registrada
WXDH
Origem
Wuxi, China
Código HS
8541100000
Preço de referência
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Descrição de Produto

30A 60V Low Vf Schottky Barrier Diode Mbr30r60cts to-220c 30A 60V Low Vf Schottky Barrier Diode Mbr30r60cts to-220c 30A 60V Low Vf Schottky Barrier Diode Mbr30r60cts to-220c 30A 60V Low Vf Schottky Barrier Diode Mbr30r60cts to-220c
Comodidades
Temperatura de junção elevada abiliia
Corrente de fuga baixa
Baixa resistência térmica
Funcionamento de alta frequência
Especificação de avalanche
Aplicações
Fonte de alimentação de comutação
Circuitos de comutação de potência
Objectivo geral
 
PARÂMETRO SÍMBOLO VALOR UNIDADE
 
Tensão de inversão repetitiva de pico VRRM 60 V
Tensão de marcha-atrás RMS VR (RMS) 42 V
Tensão de bloqueio DC VR 60 V
Corrente média retificada de avanço (única) 120ºC
  		SE (AV) 15 A
Corrente média retificada para a frente (dupla) 30 A
Corrente de pico repetitiva (única) IFRM 25 A
Corrente de pico não repetitiva (única) a velocidade do veículo é de 8,3 ms IFSM 250 A
Temperatura de junção TJ -50~150 ºC
Temperatura de armazenamento Tstg -65~150 ºC
 
Especificações do produto e modelos de embalagem
Modelo do produto Tipo de pacote Marca Nome RoHS Pacote Quantidade
MBR30R60CTS A -263 MBR30R60CTS Sem PB Entrançado 800/dic
MBR30R60CTS A -220 MBR30R60CTS Sem PB Tubo 1000/caixa
MBR30R60DCTS PARA -3P MBR30R60DCTS Sem PB Tubo 300/caixa
MBRF30R60CTS A -220F MBRF30R60CTS Sem PB Tubo 1000/caixa
 

 

Semicondutor

EMOTIVEDESIGN.PT, 2023